第一代半导体兴起于20世纪50年代，以硅、锗等元素半导体为主要代表，其典型应用是超大规模集成电路芯片，是人类进入信息社会的基石，迄今依然在半导体产业中处于主导地位。

第二代半导体兴起于20世纪70年代，以砷化镓、磷化铟为代表的化合物半导体，弥补了Si材料在发光和高速输运性质上的局限，应用于长波长光电子（红外）和微波射频电子技术，是人类进入光通信和移动通信时代的基础。

第三代半导体兴起于20世纪90年代，以氮化镓、碳化硅等带隙宽度明显大于硅和砷化镓的宽禁带半导体材料为代表，具备击穿电场高、热导率大等性能，功率芯片将大幅提升特高压柔性电网、高速列车、新能源汽车、工业电机、智能制造等能源利用效率和智能化水平，射频芯片支撑5G/6G通信的核心数据传输功能，对新兴产业的带动面广、拉动性强。

美欧日中在第三代半导体发展上“四足鼎立”

2022年7月底，美国和日本宣布成立下一代半导体研究中心，将研究开发2纳米芯片技术。日本经济产业大臣萩生田光一表示，“半导体研究中心将对志同道合的国家开放。”半导体行业“一石激起千层浪”。

当前，第三代半导体产业发展得如火如荼，在现代工业、通信等领域都有巨大的应用前景。苏州、长沙、合肥、南昌等地都在布局半导体产业园，希望提高在全球的竞争力。接受中国经济时报记者采访的人士表示，全球范围内，美国、欧洲、日本、中国在第三代半导体发展上处于“四足鼎立”状态。

第三代半导体材料，又称宽禁带半导体材料，发展较为成熟的是碳化硅和氮化镓材料。除了新能源汽车，碳化硅和氮化镓功率器件在工业控制、电力、轨道交通、消费电子等方面有广泛应用。

美日欧为了抢占第三代半导体技术的战略制高点，从2000年就开始通过国家级创新中心、联合研发等形式，实现了第三代半导体技术的加速进步。第三代半导体的市场需求也持续攀升，在全球范围掀起投资热潮。